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  1. 濺射功率和退火時間對Ca2Si薄膜結構特性的影響

    時間:2024-08-27 12:05:27 通信工程畢業論文 我要投稿
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    濺射功率和退火時間對Ca2Si薄膜結構特性的影響

    全部作者: 任雪勇 謝泉 楊吟野 肖清泉 楊創華 曾武賢 梁艷 第1作者單位: 貴州大學(花溪北校區) 電子科學與信息技術學院 論文摘要: 采用射頻磁控濺射技術在Si(100)襯底上制備出Ca2Si薄膜,研究了濺射功率和退火時間對薄膜的晶體結構、表面形貌的影響。X-射線衍射(XRD)譜和掃描電子顯微鏡(SEM)圖像表明:Ca2Si薄膜為立方結構,且具有非常好的沿(111)向擇優生長的特性。隨著濺射功率的增加,X-射線衍射峰的強度逐漸變強,半高寬(FWHM)減小,平均晶粒尺寸增加;隨著退火時間的增加,雖然衍射峰半高寬(FWHM)減小,平均晶粒尺寸增加,但是X-射線衍射峰的強度逐漸變弱。 關鍵詞: 無機非金屬材料,Ca2Si薄膜,射頻磁控濺射,濺射功率,退火時間 (瀏覽全文) 發表日期: 2007年08月20日 同行評議:

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